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同步動態(tài)隨機(jī)存儲器芯片（SDRAM） SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory、同步動態(tài)隨機(jī)存儲器 同步是指內(nèi)存工作需要同步時鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn); 動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失; 隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫;

同步動態(tài)隨機(jī)存儲器芯片（Double Data Rate SDRAM） 為雙信道同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存，是新一代的SDRAM技術(shù)。 別于SDR（Single Data Rate）單一周期內(nèi)只能讀寫1次，DDR的雙倍數(shù)據(jù)傳輸率指的就是單一周期內(nèi)可讀取或?qū)懭?次。 在核心頻率不變的情況下，傳輸效率為SDR SDRAM的2倍

雙信道兩次同步動態(tài)隨機(jī)存儲器芯片（DDR2 SDRAM） DDR2內(nèi)存Prefetch又再度提升至4 bit（DDR的兩倍） DDR2的I/O頻率是DDR的2倍，也就是266、333、400MHz

雙信道三次同步動態(tài)存儲器芯片（DDR3 SDRAM） DDR3內(nèi)存Prefetch提升至8 bit，即每次會存取8 bits為一組的數(shù)據(jù)。 DDR3傳輸速率介于 800～1600 MT/s之間。此外， DDR3 的規(guī)格要求將電壓控制在1.5V，較DDR2的1.8V更為省電。

低功耗同步動態(tài)隨機(jī)存儲器芯片（Mobile SDRAM） 較低的功率消耗及多樣的電壓支持選擇(1.8V,2.5V,3.0V) 體積更為縮小(FBGA) 更高的記憶體容量(768M/1G with DDP) 更高的工作速度(Mobile DDR 333Mbps)